The Effects of Boron Passivation and Re-Oxidation on the Properties of the 4H-SiC/SiO2 Interface

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标题	The Effects of Boron Passivation and Re-Oxidation on the Properties of the 4H-SiC/SiO2 Interface 硼钝化和再氧化对4H-SiC/SiO2界面性能的影响相关领域钝化材料科学碳化硅硅硼二氧化硅氧化物电容悬空债券分析化学（期刊）光电子学化学工程纳米技术复合材料电极冶金化学图层（电子）物理化学有机化学工程类
网址	https://doi.org/10.3938/jkps.74.679
DOI	10.3938/jkps.74.679 doi
其它	期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Chungbu Jeong; Kwangsoo Kim 出版日期：2019-04-01
求助人	薄荷加冰在 2024-04-19 10:30:28 发布自北京，悬赏 10 积分
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