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 NPDC structure double-channel N-polar E-mode GaN HEMTs: Innovations in enhancing RF and DC performance and mitigating trap effects 相关领域
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Longfei Yang; Huiqing Sun; Ruipeng Lv; Zhen Liu; Yuanhao Zhang; et al 出版日期：2024-11-01 |
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