Control of epitaxial growth at a-Si:H/c-Si heterointerface by the working pressure in PECVD

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标题	Control of epitaxial growth at a-Si:H/c-Si heterointerface by the working pressure in PECVD PECVD中工作压力对a-Si：H/c-Si异质界面外延生长的控制相关领域外延材料科学等离子体增强化学气相沉积光电子学硅纳米技术图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1088/1674-1056/25/11/118801
DOI	10.1088/1674-1056/25/11/118801 doi
其它	期刊：Chinese Physics B/Chinese physics B 作者：Yanjiao Shen; Jianhui Chen; Jing Yang; Bingbing Chen; Jingwei Chen; et al 出版日期：2016-11-01
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