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 Characteristics of heteroepitaxial structures Al x Ga1–x N for p–i–n diode focal plane arrays 用于p-i-n二极管焦平面阵列的异质外延结构Al × Ga1-x N的特性
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期刊：Journal of communications technology & electronics 作者：Dmitry Smirnov; K. O. Boltar; M. V. Sednev; Yu. P. Sharonov 出版日期：2016-03-01 |
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