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标题
An Inclusive Structural Analysis on the Design of 1.2kV 4H-SiC Planar MOSFETs
1.2 kV 4H-SiC平面MOSFET设计的包容性结构分析
相关领域
JFET公司 平面的 材料科学 频道（广播） MOSFET 碳化硅 可靠性（半导体） 光电子学 电子工程 电气工程 计算机科学 场效应晶体管 电压 工程类 功率（物理） 晶体管 物理 计算机图形学（图像） 量子力学 冶金
网址
https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6245494/6423298/09527331.p...
AI链接 ieee.org ieee.org doaj.org osti.gov osti.govdoi.org
DOI
10.1109/jeds.2021.3109605 doi
其它 期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society
作者：Dongyoung Kim; Nick Yun; Seung Yup Jang; Adam J. Morgan; Woongje Sung
出版日期：2021-01-01
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哈哈 在 2025-08-29 20:21:18 发布，悬赏 10 积分
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