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 Strain-induced bandgap engineering in CsGeX3 (X = I, Br or Cl) perovskites: insights from first-principles calculations CsGeX3（X=I，Br或Cl）钙钛矿的应变诱导带隙工程：第一性原理计算的启示
相关领域
钙钛矿（结构）
带隙
电子
密度泛函理论
材料科学
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化学
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期刊：Physical Chemistry Chemical Physics 作者：Guangbiao Xiang; Yanwen Wu; Man Zhang; Chen Cheng; Jiancai Leng; et al 出版日期：2022-01-01 |
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