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 Implementation of oxide vertical channel TFTs with sub-150 nm channel length using atomic-layer deposited IGZO active and HfO2 gate insulator 用原子层沉积IGZO有源和HfO2栅绝缘体实现沟道长度低于150 nm的氧化物垂直沟道薄膜晶体管
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
光电子学
阈值电压
绝缘体（电）
氧化铟锡
蚀刻（微加工）
晶体管
氧化物
电极
图层（电子）
纳米技术
电压
电气工程
化学
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期刊：Nanotechnology 作者：Hyun-Joo Ryoo; Nak-Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; Sung‐Min Yoon 出版日期：2020-11-18 |
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