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 Characteristics of Ultrathin Indium Oxide Thin‐Film Transistors with Diverse Channel Lengths Fabricated by Atomic Layer Deposition 原子层沉积制备不同沟道长度的超薄氧化铟薄膜晶体管的特性
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
铟
原子层沉积
氧化剂
缩放比例
阈值电压
氧化物
晶体管
钝化
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期刊：physica status solidi (b) 作者：J.Y. Lee; Seung‐Youl Kang; Jong‐Heon Yang; Jae‐Eun Pi; Chi‐Sun Hwang; et al 出版日期：2023-11-03 |
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