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![]() 分子束外延生长HgCdTe基表面泄漏受限nBn结构动态电阻的实验研究
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期刊:Journal of Electronic Materials 作者:А. В. Войцеховский; S. N. Nesmelov; S. М. Dzyadukh; S. A. Dvoretsky; Н. Н. Михайлов; et al 出版日期:2021-05-25 |
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JenniferShen
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JenniferShen
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