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 A sessile drop approach for studying 4H-SiC/liquid silicon high-temperature interface reconstructions 研究4H-SiC/液态硅高温界面重构的固着液滴方法
相关领域
材料科学
硅
坐滴法
下降（电信）
刻面
碳化硅
接触角
化学物理
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期刊：Journal of Materials Science 作者：Xinming Xing; Takeshi Yoshikawa; O. Budenkova; Didier Chaussende 出版日期：2022-01-01 |
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