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 Schottky diode characteristics on high-growth rate LPCVD β -Ga2O3 films on (010) and (001) Ga2O3 substrates （010）和（001）Ga2O3衬底上高生长速率LPCVD β-Ga2O3薄膜的肖特基二极管特性
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Sudipto Saha; Lingyu Meng; Zixuan Feng; A F M Anhar Uddin Bhuiyan; Hongping Zhao; et al 出版日期：2022-03-21 |
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