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 Capacitance Boosting by Anti-Ferroelectric Blocking Layer in Charge Trap Flash Memory Device 电荷陷阱闪存器件中反铁电阻挡层的电容提升
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期刊： 作者：Eui Joong Shin; Sung Won Shin; Seung Hwan Lee; Tae In Lee; Min Ju Kim; et al 出版日期：2020-12-12 |
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