Enhancement and Modeling of Drain Current in Negative Capacitance Double Gate TFET

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标题	Enhancement and Modeling of Drain Current in Negative Capacitance Double Gate TFET 负电容双栅TFET漏极电流的增强与建模相关领域隧道场效应晶体管材料科学电容电流（流体）切线晶体管场效应晶体管光电子学氧化物双闸门和大门负阻抗变换器拓扑（电路）电压逻辑门电气工程 MOSFET 物理电压源量子力学电极工程类数学冶金几何学
网址	https://doi.org/10.1007/s12633-021-01382-z
DOI	10.1007/s12633-021-01382-z doi
其它	期刊：Silicon 作者：U S Shikha; Rekha K. James; Jobymol Jacob; Anju Pradeep 出版日期：2021-09-25
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