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A 200V Partial SOI 0.18µm CMOS technology
200V部分SOI 0.18µm CMOS技术
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绝缘体上的硅 CMOS芯片 光电子学 材料科学 电气工程 电子工程 计算机科学
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其它 期刊：International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
作者：Alexander Holke; D. K. Pal; Yang Hao; Kee Kia Yaw; Elizabeth Kho; et al
出版日期：2010-06-06
求助人
tttt 在 2025-08-19 13:24:58 发布自广东，悬赏 10 积分
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