| 标题 |
  Realization of Self‐Rectifying and Self‐Powered Resistive Random‐Access Memory Memristor Using [001]‐Oriented NaNbO3 Film Deposited on Sr2Nb3O10 Nanosheet at Low Temperatures 利用低温沉积在Sr2Nb3O10纳米片上的[001]取向NaNbO3薄膜实现自整流和自供电电阻式随机存取存储器忆阻器
相关领域
记忆电阻器
材料科学
整改
单层
电阻随机存取存储器
肖特基二极管
量子隧道
纳米技术
锡
光电子学
凝聚态物理
电压
电气工程
二极管
物理
冶金
工程类
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| 其它 |
期刊：Advanced Intelligent Systems 作者：In‐Su Kim; Bumjoo Kim; Seok‐June Chae; Sahn Nahm 出版日期：2023-12-08 |
| 求助人 |
Herbert
在
2025-08-19 05:36:48 发布，悬赏 10 积分
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