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 Modeling of Composition and Channel Length-Dependent Transient Characteristics in Short-Channel IGZO Field-Effect Transistors 短沟道IGZO场效应晶体管成分和沟道长度相关瞬态特性的模拟
相关领域
材料科学
晶体管
瞬态（计算机编程）
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Donguk Kim; Da‐Yeon Lee; Wonjung Kim; Ho Jung Lee; Changwook Kim; et al 出版日期：2025-01-16 |
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