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 Impurity states are the origin of yellow-band emission in GaN structures produced by epitaxial lateral overgrowth 杂质态是外延横向过生长产生的GaN结构中黄带发射的起源
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期刊：Applied Physics Letters 作者：X. Li; Paul W. Bohn; J. J. Coleman 出版日期：1999-12-27 |
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