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 P‐1.11: High‐mobility ZnO thin‐film transistors with HfO2/Al2O3 bilayer dielectric P-1.11：具有HfO2/Al2O3双层电介质的高迁移率ZnO薄膜晶体管
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
光电子学
阈值电压
电介质
双层
栅极电介质
原子层沉积
晶体管
图层（电子）
电子迁移率
高-κ电介质
电压
电气工程
纳米技术
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工程类
生物化学
膜
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期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 作者：Qi Li; Junchen Dong; Jingyi Wang; Dengqin Xu; Dedong Han; et al 出版日期：2022-10-01 |
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星辰大海
在
2025-08-25 14:26:30 发布，悬赏 10 积分
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