Rhodium‐Alloyed Beta Gallium Oxide Materials: New Type Ternary Ultra‐Wide Bandgap Semiconductors

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标题	Rhodium‐Alloyed Beta Gallium Oxide Materials: New Type Ternary Ultra‐Wide Bandgap Semiconductors 铑合金β氧化镓材料：新型三元超宽带隙半导体相关领域材料科学三元运算氧化镓铑带隙镓半导体氧化物纳米技术光电子学冶金催化作用生物化学化学计算机科学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202400547
DOI	10.1002/aelm.202400547 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Xian‐Hu Zha; Yu‐Xi Wan; Shuang Li; Dao Hua Zhang 出版日期：2024-10-11
求助人	灵巧忆南在 2025-04-27 14:49:05 发布自福建，悬赏 10 积分
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