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First demonstration of 3-dimensional stacked FET with top/bottom source-drain isolation and stacked n/p metal gate
首次演示具有顶/底源漏隔离和堆叠n/p金属栅的三维堆叠FET
相关领域
材料科学
光电子学
金属浇口
分离(微生物学)
逻辑门
电气工程
电子工程
晶体管
栅氧化层
工程类
电压
微生物学
生物
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期刊: 作者:Jaehyun Park; Wu-Kang Kim; Sung-Il Park; Ji-Hoon Yun; Kyu‐Man Hwang; et al 出版日期:2023-12-09 |
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