In-plane Schottky-barrier field-effect transistors based on 1T/2H heterojunctions of transition-metal dichalcogenides

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标题	In-plane Schottky-barrier field-effect transistors based on 1T/2H heterojunctions of transition-metal dichalcogenides
网址	https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.165402
DOI	10.1103/PhysRevB.96.165402 doi
其它	期刊：Physical Review B 作者：Zhi-Qiang Fan; Xiang-Wei Jiang; Jun-Wei Luo; Li-Ying Jiao; Ru Huang; et al 出版日期：2017
求助人	zhuzhen007 在 2026-05-27 18:33:37 发布自湖南，悬赏 10 积分
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