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Extraction and Optimization of Compact Drain Current Model Parameters for GaN High‐Electron‐Mobility Transistors
GaN高电子迁移率晶体管紧凑漏电流模型参数的提取与优化
相关领域
高电子迁移率晶体管
香料
晶体管
萃取(化学)
材料科学
电子工程
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电气工程
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期刊:Physica Status Solidi A-applications and Materials Science 作者:Pratik Ganguly; Anjan Chakravorty; Nandita DasGupta; Amitava DasGupta 出版日期:2023-01-05 |
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