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 A 800 V β‐Ga2O3 Metal–Oxide–Semiconductor Field‐Effect Transistor with High‐Power Figure of Merit of Over 86.3 MW cm−2 800 V β-Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管，高功率品质因数超过86.3 MW cm−2
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功勋
材料科学
场效应晶体管
光电子学
晶体管
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化学
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工程类
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Zhaoqing Feng; Yuncong Cai; Guangshuo Yan; Zhuangzhuang Hu; Kui Dang; et al 出版日期：2019-07-16 |
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