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 The influence of the HIP process on the microstructure, critical temperature and critical current density of double-doped (with Dy 2 O 3 + C, and Tb 2 O 3 + C) MgB 2 bulk compounds HIP工艺对双掺杂（Dy2O3+C和Tb2O3+C）MgB2块体化合物微观结构、临界温度和临界电流密度的影响
相关领域
微观结构
材料科学
临界电流
兴奋剂
电流（流体）
过程（计算）
电流密度
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期刊：High Pressure Research 作者：G. Gajda; Krzysztof Filar; A. Morawski; D. Gajda 出版日期：2024-01-02 |
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2025-06-03 11:14:12 发布，悬赏 30 积分
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(2025-6-4)
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