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 Influence of Al2O3 layer on InGaZnO memristor crossbar array for neuromorphic applications Al2O3层对InGaZnO忆阻器交叉阵列的影响
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期刊：Chaos, Solitons & Fractals 作者：Woo Sik Choi; Jun Tae Jang; Tae Jun Yang; Changwook Kim; Hyungjin Kim; et al 出版日期：2022-03-01 |
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