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Impact of Strategic Approaches for Improving the Device Performance of Mesa-shaped Nanoscale Vertical-Channel Thin-Film Transistors Using Atomic-Layer Deposited In–Ga–Zn–O Channel Layers
使用原子层沉积In-Ga-Zn-O沟道层改善台面形纳米级垂直沟道薄膜晶体管器件性能的策略方法的影响
相关领域
材料科学
原子层沉积
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期刊:Electronic Materials Letters 作者:Hyun-Min Ahn; Young-Ha Kwon; Nak-Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; Chi‐Sun Hwang; et al 出版日期:2022-02-11 |
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