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 Improved quality of InGaN/GaN multiple quantum wells by a strain relief layer 应变释放层提高InGaN/GaN多量子阱的质量
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Niu Nan-Hui; Huaibing Wang; Liu Jian-ping; Naixin Liu; Yanhui Xing; et al 出版日期：2005-12-07 |
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