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标题
TCAD analysis of conditions for DIBL parameter misestimation in cryogenic MOSFETs
低温MOSFET中DIBL参数错误估计条件的TCAD分析
相关领域
材料科学 光电子学 排水诱导屏障降低 MOSFET 工程物理 电气工程 场效应晶体管 物理 工程类 电压 晶体管
网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad606d
DOI
10.35848/1347-4065/ad606d doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Y. Kobayashi; Hidehiro Asai; Shota Iizuka; Junichi Hattori; Tsutomu Ikegami; et al
出版日期：2024-07-08
求助人
夏珩 在 2025-12-10 22:22:10 发布自广东，悬赏 10 积分
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