Single-Event Transients in Vertical GaN Diodes With N-Implanted Hybrid Edge Termination

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标题	Single-Event Transients in Vertical GaN Diodes With N-Implanted Hybrid Edge Termination 具有N注入混合边缘终端的垂直GaN二极管中的单事件瞬态相关领域光电子学氮化镓二极管电场材料科学阳极电气工程物理纳米技术工程类电极量子力学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/tns.2024.3522794
DOI	10.1109/tns.2024.3522794 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Andrew D. Koehler; Ani Khachatrian; Alan G. Jacobs; James Spencer Lundh; Adrian Ildefonso; et al 出版日期：2025-01-03
求助人	李沐唅在 2025-12-12 09:29:29 发布自贵州，悬赏 10 积分
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