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标题
Ab initio study of deep defect states in narrow band-gap semiconductors:: Group III impurities in PbTe
窄带隙半导体中深缺陷态的从头算研究：PbTe中的III族杂质
相关领域
凝聚态物理 半导体 从头算 杂质 材料科学 带隙 兴奋剂 费米能级 从头算量子化学方法 热电效应 电子能带结构 电子结构 物理 量子力学 光电子学 电子 分子
网址
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.96.056403
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1103/PhysRevLett.96.056403 doi
求助人
悄悄是心上的肖肖 在 2025-05-30 17:20:16 发布自河北，悬赏 10 积分
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