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 Ferroelectricity of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Film Induced at 350°C by Thermally Accelerated Nucleation During Atomic Layer Deposition 350℃原子层沉积过程中热加速成核诱导的Hf0.5Zr 0.5 O2薄膜的铁电性
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jaewook Lee; Se Hyun Kim; Hyojun Choi; Hyun Woo Jeong; Kun Yang; et al 出版日期：2024-02-12 |
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