| 标题 |
 Effect of Pulsed Substrate Bias on Film Properties of SiO2 Deposited by Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition 脉冲衬底偏压对电感耦合等离子体化学气相沉积SiO2薄膜性能的影响
相关领域
基质（水族馆）
化学气相沉积
分析化学（期刊）
感应耦合等离子体
材料科学
偏压
沉积（地质）
等离子体
薄膜
光电子学
化学
纳米技术
电压
电气工程
色谱法
生物
量子力学
海洋学
物理
地质学
工程类
古生物学
沉积物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Takahiro Hiramatsu; Tokiyoshi Matsuda; Hiroshi Furuta; Hiroshi Nitta; Toshiyuki Kawaharamura; et al 出版日期：2010-03-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
SYLH
cdercder
冰魂
非而者厚
iNk
Accepted
椰子在长江送礼物
HEIKU
故酒
Auston_zhong
剑指东方是为谁
昏睡的蟠桃
bc
l玖
pcr163
卡卡西
shin
nozero
平常的毛豆
子车茗
皖公网安备34019202002308
