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 Measurement of the valence-band offset in strained Si/Ge (100) heterojunctions by x-ray photoelectron spectroscopy 应变Si/Ge（100）异质结价带偏移的x射线光电子能谱测量
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Edward T. Yu; E. T. Croke; T. C. McGill; R. H. Miles 出版日期：1990-02-05 |
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