| 标题 |
 Excessive Oxygen Peroxide Model‐Based Analysis of Positive‐Bias‐Stress and Negative‐Bias‐Illumination‐Stress Instabilities in Self‐Aligned Top‐Gate Coplanar In–Ga–Zn–O Thin‐Film Transistors 基于过量过氧化氧模型的自对准顶栅共面In-Ga-Zn-O薄膜晶体管正偏压和负偏压照明应力不稳定性分析
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
阈值电压
压力（语言学）
氧气
晶体管
电导
光电子学
分析化学（期刊）
电压
凝聚态物理
纳米技术
图层（电子）
电气工程
化学
工程类
有机化学
哲学
语言学
物理
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced electronic materials 作者：Sungju Choi; Jingyu Park; Seong‐Hyun Hwang; Changwook Kim; Yong‐Sung Kim; et al 出版日期：2022-01-07 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
乐乐乐乐乐乐
鸣笛
孙燕
fanyueyue
打卡下班
蛇從革
SQXT
哈基米德
Zoo
eric888
不安青牛
Kirito
热心市民小红花
子车茗
YamDaamCaa
8R60d8
机灵柚子
Bio
冥冥之极为昭昭
昏睡的蟠桃
皖公网安备34019202002308
