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 Electronic band structure vs intrinsic antisite doping in the MBE grown films MnTe · Bi(2−x)Te3(1−x/2) (0 ≥ x &lt; 2): Evidence from spectroscopic ellipsometry and infrared studies MBE生长薄膜MnTe·Bi（2-x）Te3（1-x/2）（0≥x<2）中的电子能带结构与本征反位掺杂：来自光谱椭偏和红外研究的证据
相关领域
椭圆偏振法
兴奋剂
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带隙
凝聚态物理
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化学
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物理
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期刊：Applied Physics Letters 作者：N. N. Kovaleva; D. Chvostová; A. V. Muratov; Tatiana N. Fursova; S. I. Bozhko; et al 出版日期：2024-12-23 |
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