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Utilizing compliance current level for controllability of resistive switching in nickel oxide thin films for resistive random-access memory
利用柔度电流电平实现电阻随机存储器用氧化镍薄膜电阻开关的可控性
相关领域
电铸
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材料科学
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镍
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期刊:Journal of alloys and compounds 作者:Tsung‐Ming Tsai; Chun-Chu Lin; Wen‐Chung Chen; Cheng-Hsien Wu; Ching‐Chieh Yang; et al 出版日期:2020-06-01 |
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