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 Formation of Ohmic Contacts to n-GaAs at Temperatures Compatible with Indium Flip-Chip Bonding 在与铟倒装键合相容的温度下与n-GaAs形成欧姆接触
相关领域
欧姆接触
倒装芯片
材料科学
铟
退火（玻璃）
光电子学
熔点
接触电阻
纳米技术
复合材料
图层（电子）
胶粘剂
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期刊：ECS Meeting Abstracts 作者：Michael G. Wood; C. P. Hains; Patrick Sean Finnegan; Chad A. Stephenson; John F. Klem; et al 出版日期：2019-09-01 |
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