标题 |
CsFAMAPbIBr Photoelectric Memristor Based on Ion‐Migration Induced Memristive Behavior
基于离子迁移致忆行为的CsFAMAPbIBr光电忆阻器
相关领域
记忆电阻器
神经形态工程学
材料科学
光电效应
三卤化物
堆积
光电子学
钙钛矿(结构)
电阻随机存取存储器
纳米技术
电压
计算机科学
电子工程
电气工程
人工神经网络
人工智能
化学
工程类
卤化物
有机化学
无机化学
结晶学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Advanced electronic materials 作者:Shaoxi Wang; Xiangqi Dong; Yuxuan Xiong; Jian Sha; Yunguo Cao; et al 出版日期:2021-04-15 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|