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Oxygen Vacancy Transition in HfO x ‐Based Flexible, Robust, and Synaptic Bi‐Layer Memristor for Neuromorphic and Wearable Applications
用于神经形态和可穿戴应用的基于HfO x的柔性、鲁棒和突触双层忆阻器中的氧空位跃迁
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
光电子学
双层
X射线光电子能谱
电子工程
计算机科学
人工神经网络
物理
化学
人工智能
膜
核磁共振
生物化学
工程类
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其它 |
期刊:Advanced materials and technologies 作者:Aftab Saleem; Dayanand Kumar; Amit Singh; Sailesh Rajasekaran; Tseung-Yuen Tseng 出版日期:2022-02-24 |
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