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Low Leakage TiO2 Gate Insulator Formed by Ultrathin TiN Deposition and Low-Temperature Oxidation
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网址
https://doi.org/10.1143/jjap.39.5794
DOI
10.1143/jjap.39.5794 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Kazuhiko Matsuo; Kazuaki Nakajima; S. Omoto; Shin Nakamura; Atsushi Yagishita; et al
出版日期：2000-10-01
求助人
姚磊 在 2026-01-13 13:32:54 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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