| 标题 |
 An observation of breakdown characteristics on thick silicon oxide 厚层氧化硅击穿特性的观察
相关领域
材料科学
电场
硅
二极管
击穿电压
介电强度
撞击电离
泄漏（经济）
电介质
电击穿
电压
电离
分析化学（期刊）
光电子学
电气工程
化学
物理
离子
工程类
宏观经济学
经济
有机化学
量子力学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：K. Nakamura; Tsunaki Takahashi; Tatsuya Hikichi; I. Takata 出版日期：2002-11-19 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
孤独尔白
kento
遇上就这样吧
daisy
优秀的流沙
斯寜
jyy
andrele
若雨凌风
非而者厚
忧虑的初晴
cdercder
SYLH
Lucas
Mercury
再见当套7
从容芮
HEIKU
轻松小张
xiaokang123
皖公网安备34019202002308
