Improved Performance of CH3NH3PbI3–xClx Resistive Switching Memory by Assembling 2D/3D Perovskite Heterostructures

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标题	Improved Performance of CH3NH3PbI3–xClx Resistive Switching Memory by Assembling 2D/3D Perovskite Heterostructures 组装2D/3D钙钛矿异质结构改善CH3NH3PbI3-xClx电阻开关存储器性能相关领域材料科学钙钛矿（结构）异质结电阻随机存取存储器光电子学卤化物钝化非阻塞I/O 晶界纳米技术碘化物电压化学工程图层（电子）复合材料电气工程无机化学催化作用生物化学化学微观结构工程类
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.9b22732
DOI	10.1021/acsami.9b22732 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Fei Xia; Ying Xu; Bixin Li; Wei Hui; Shiyang Zhang; et al 出版日期：2020-03-09
求助人	哭泣的又蓝在 2024-04-29 17:35:12 发布自福建，悬赏 10 积分
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