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 Design and Simulation of Steep-Slope Silicon Cold Source FETs With Effective Carrier Distribution Model 基于有效载流子分布模型的陡坡硅冷源场效应晶体管设计与仿真
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Weizhuo Gan; Raphaël Prentki; Fei Liu; Jianhui Bu; Kun Luo; et al 出版日期：2020-06-01 |
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