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Schottky barriers, emission regimes and contact resistances in 2H-1T’ MoS2 lateral metal-semiconductor junctions from first-principles
从第一性原理看2H-1T′MoS2金属——半导体侧向结中的肖特基势垒、发射机制和接触电阻
相关领域
材料科学
肖特基势垒
光电子学
肖特基二极管
半导体
工程物理
接触电阻
纳米技术
金属
金属半导体结
物理
冶金
二极管
图层(电子)
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其它 |
期刊:2D materials 作者:M. Laura Urquiza; Xavier Cartoixà 出版日期:2020-09-22 |
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