An analytical drain current model of Germanium source vertical tunnel field effect transistor

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标题	An analytical drain current model of Germanium source vertical tunnel field effect transistor 锗源垂直隧道场效应晶体管漏电流解析模型相关领域量子隧道带隙锗场效应晶体管晶体管凝聚态物理准费米能级泊松方程材料科学直接和间接带隙光电子学物理电压量子力学硅
网址	https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207197
DOI	10.1016/j.micrna.2022.207197 doi
其它	期刊：Micro and Nanostructures 作者：K. Vanlalawmpuia; Suman Kr. Mitra; Brinda Bhowmick 出版日期：2022-03-30
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