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  Epitaxial Growth of Active Si on Top of SiGe Etch Stop Layer in View of 3D Device Integration 相关领域
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期刊：ECS Transactions 作者：Roger Loo; Anne Jourdain; Gianluca Rengo; Clément Porret; Andriy Hikavyy; et al 出版日期：2020-09-08 |
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