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Insights into the effect of susceptor rotational speed in CVD reactor on the quality of 4H-SiC epitaxial layer on homogeneous substrates
CVD反应器中基座转速对均匀衬底上4H-SiC外延层质量影响的研究
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期刊:Materials today communications 作者:Zhuorui Tang; Lin Gu; Lufan Jin; Kefeng Dai; Chaobin Mao; et al 出版日期:2024-03-01 |
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