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Characterization and fabrication of indium doped LaPO4 as an interfacial layer of Cu/In–LaPO4/n–Si and developed for Schottky barrier diode
用于肖特基势垒二极管的Cu/In-LaPO4/n-Si界面层铟掺杂LaPO4的表征和制备
相关领域
材料科学 X射线光电子能谱 铟 肖特基势垒 单斜晶系 掺杂剂 热离子发射 分析化学（期刊） 兴奋剂 退火（玻璃） 傅里叶变换红外光谱 阻挡层 图层（电子） 二极管 纳米技术 化学工程 光电子学 结晶学 晶体结构 复合材料 化学 工程类 电子 物理 色谱法 量子力学
网址
https://doi.org/10.1007/s10854-023-09858-x
DOI
10.1007/s10854-023-09858-x doi
其它 期刊：Journal of Materials Science Materials in Electronics
作者：R. Priya; R. Mariappan; J. Chandrasekaran; V. Balasubramani
出版日期：2023-02-01
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Jasper 在 2025-06-02 06:43:53 发布，悬赏 10 积分
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