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标题
Design and Realization of Wide-Band-Gap ($\sim$2.67 eV) InGaN p-n Junction Solar Cell
宽带隙($\sim$2.67 eV)InGaN p-n结太阳电池的设计与实现
相关领域
太阳能电池 光电子学 带隙 材料科学 光致发光 外延 开路电压 铟 紫外线 宽禁带半导体 衍射 光学 电压 物理 纳米技术 图层（电子） 量子力学
网址
https://doi.org/10.1109/led.2009.2034280
DOI
10.1109/led.2009.2034280 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Balakrishnam Jampana; Andrew Melton; Muhammad Jamil; N. N. Faleev; R. L. Opila; et al
出版日期：2009-11-23
求助人
lielie 在 2025-05-18 14:13:36 发布自江苏，悬赏 10 积分
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