Epitaxial ScxAl1−xN on GaN exhibits attractive high-K dielectric properties

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标题	Epitaxial ScxAl1−xN on GaN exhibits attractive high-K dielectric properties GaN上外延ScxAl1-xN表现出有吸引力的高K介电性能相关领域外延材料科学电介质介电常数异质结相对介电常数氮化物宽禁带半导体光电子学化学气相沉积氮化镓电容纳米技术化学图层（电子）电极物理化学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0075636
DOI	10.1063/5.0075636 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Joseph Casamento; Hyunjea Lee; Takuya Maeda; Ved Gund; Kazuki Nomoto; et al 出版日期：2022-04-11
求助人	鬼墨xzc 在 2025-03-01 17:37:08 发布自山东，悬赏 10 积分
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